Інфопакет

Напівпровідникова електроніка

ВБС 1.2

Вибіркова дисципліна для ОП

Перший

2023/2024

4 Семестр

5

Студент повинен знати: Фізичні моделі базових елементів напівпровідникових приладів. Еквівалентні схеми та електрофізичні характеристики базових елементів напівпровідникових приладів. Основні типи напівпровідникових структур. Основні фізичні властивості діелектриків, напівпровідників, металів. Методи виготовлення та застосування простих напівпровідникових приладів.

Очна форма

Навчальна дисципліна «Напівпровідникова електроніка» базується на циклі дисциплін професійної та практичної підготовки, зокрема, «Фізика», «Диференціальні рівняння», «Математичний аналіз».

Основи загальної теорії напівпровідників. Кристалічна структура напівпровідників. Кристалічні ґратки, грати Браве, класифікація ґраток Браве та кристалічних структур, пряма та обернена ґратки кристалу. Фізика електрону у періодичному потенціалі. Основи зонної теорії напівпровідників. Коливання атомів в кристалічній гратці, фонони. Дефекти в реальних кристалах. Статистика електронів у напівпровідниках. Хімічний зв’язок та основні закономірності у зв’язках. Методи вимірювання питомого опору напівпровідникових матеріалів. Фізичні процеси в напівпровідниках (ефект Холла, термомагнітні і термоелектричні ефекти, дифузія та дрейф носіїв заряду, бар’єр Шоткі, p-n-перехід, ефект поля, МДП структури, герероструктури). Класифікація, конструкції, принципи роботи, основні параметри і характеристики напівпровідникових приладів (діодів, транзисторів, тиристорів, семісторів).

1. Shengkai Wang, Xiaolei Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. 2021.-174p. 2. D. Nirmal, J. Ajayan, et al. Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics. 2021.-302p. 3. Emil Zolotoyabko. Introduction to Solid State Physics for Materials Engineers.-2021.- 304p. 4. О.В. Третяк, В.З. Лозовський. Основи фізики напівпровідників.В 2 т. - К.: ВПЦ «Київський університет», 2007. 5. В.З.Лозовський, К.В.Покидько, Г.М.Стрільчук. Практикум з фізики напівпровідників. Ч.1, 2. Київ. КНУ. 2009. – 71с.

Лекції, лабораторні роботи, індивідуальна самостійна робота.

- семестрове оцінювання: Навчальний семестр має три змістові модулі: у змістовий модуль 1 (ЗМ1) входять теми 1-7, у змістовий модуль 2 (ЗМ2) входять теми 8-12, у змістовий модуль 3 (ЗМ3) входять теми 13-17. - підсумкове оцінювання (у формі іспиту): форма іспиту – письмово-усна. Екзаменаційний білет складається із 2 питань, кожне питання оцінюється від 0 до 20 балів. Всього за іспит можна отримати від 0 до 40 балів. Умовою досягнення позитивної оцінки за дисципліну є отримання не менш ніж 60 балів, при цьому оцінка за результатами навчання 2 [вміння] і 4 [автономність та відповідальність] не може бути меншою ніж 50% від максимального рівня (15 і 5 балів відповідно), оцінка за іспит не може бути меншою 24 балів. - умови допуску до іспиту: умовою допуску до іспиту є отримання студентом сумарно не менше, аніж критично-розрахунковий мінімум 36 балів за семестр, та здача усіх лабораторних робіт.

Українська