Інфопакет

ДВС.1.02.01 2 Наноматеріали та структури на їх основі

ДВС.1.02.01

Вибіркова дисципліна для ОП

Другий

2018/2019

2 Семестр

4

Здатність будувати адекватні моделі хімічних явищ, досліджувати їх для отримання нових висновків та поглиблення розуміння природи, в тому числі з використанням методів молекулярного, математичного і комп’ютерного моделювання. Здатність організовувати, планувати та реалізовувати хімічний експеримент. Здатність інтерпретувати, об’єктивно оцінювати і презентувати результати свого дослідження. Здатність формулювати нові гіпотези та наукові задачі в галузі хімії, вибирати напрями та відповідні методи для їх розв’язання на основі розуміння сучасної проблематики досліджень в галузі хімії та беручи до уваги наявні ресурси. Здатність обирати оптимальні методи та методики дослідження. Володіння загальною методологією здійснення наукового дослідження.

Очна форма

Дисципліна базується на циклі дисциплін професійної та практичної підготовки, зокрема таких як «Електрика та магнетизм», «Оптика», «Основи фізики твердого тіла», «Фізичні взаємодії в наносистемах», «Електрофізичні, хімічні та біологічні методи досліджень».

В курсі „Наноматеріали та структури на їх основі” детально розглядаються властивості наноматеріалів, фізичні процеси, що протікають під дією електричного поля в нанорозмірних структурах та фізика роботи напівпровідникових наноелектронних приладів. Основна увага направлена на (а) фізичні властивості наноматеріалів, основні відомості про наночастинки, нанокластери, наноструктури, (б) фізичні явища в наноструктурах, що протікають під дією освітлення і електричного поля (екранування електричного поля, електронний транспорт в тонких та надтонких напівпровідникових) та їх використання; (в) фізичні процеси в напівпровідникових наноелектронних приладах, що обумовлюють їх застосування в наноелектронних системах.

1. Sze S.M., Ng Kwong K. Physics of semiconductor devices.- Wiley-Interscience, 2007 2. Sze S.M. Modern semiconductor device physics.- 1998 3. Benellmekki M., Elbe A. Nanostructured thin films. Fundamentals and applications.- Elsevier, 2019. 5. Zhuiykov S. Nanostructured semiconductors.- Elsevier, 2018. 6. Sze S.M. Modern semiconductor device physics.- Wiley-Interscience, 1998, 547 P. 7. Tiwari A., Uzum L. Advanced in functional materials.- Wiley,2015. 8. McGuire G.E. Characterization of Semiconductor materials.- Noyes Publications, 1989. 9. Evtukh, H. Hartnagel, O. Yilmazoglu, H. Mimura, D. Pavlidis. Vacuum Nanoelectronic Devices – Novel Electron Sources and Applications. John Wiley & Sons, Inc, 2015, 495 P. ISBN: 9781119037958 10. Готра З.Ю. та ін. Наноелектроніка. Львів-Ліга-Прес-2009, 342 С.

лекції, лабораторні

- семестрове оцінювання: 1. Модульна контрольна робота 1- 20 балів; 2. Модульна контрольна робота 2- 20 балів; 3. Модульна контрольна робота 3- 20 балів; - підсумкове оцінювання у формі екзамену. - максимальна кількість балів, які можуть бути отримані студентом під час іспиту - 40 балів по 100-бальній шкалі;

українська