Фотовольтаїка та оптоелектроніка напівпровідникових наноструктур

Освітня програма: Фізика та астрономія

Структурний підрозділ: Фізичний факультет

Назва дисципліни
Фотовольтаїка та оптоелектроніка напівпровідникових наноструктур
Код дисципліни
ДВА. 02.15
Тип модуля
Вибіркова дисципліна для ОП
Цикл вищої освіти
Третій
Рік навчання
2018/2019
Семестр / Триместр
4 Семестр
Кількість кредитів ЕСТS
4
Результати навчання
РН04. Планувати і виконувати експериментальні та/або теоретичні дослідження з фізики (астрономії) та дотичних міждисциплінарних напрямів з використанням сучасних інструментів, критично аналізувати результати власних досліджень і результати інших дослідників у контексті усього комплексу сучасних знань щодо досліджуваної проблеми. РН07. Глибоко розуміти загальні принципи та методи природничих наук, а також методологію наукових досліджень, уміти застосувати їх у власних дослідженнях у сфері фізики (астрономії) та у викладацькій практиці.
Форма навчання
Дистанційне навчання
Попередні умови та додаткові вимоги
- Знати основи фізики напівпровідників, квантової механіки, принципи теорії твердого тіла, основи наноелектроніки. - Вміти - вимірювати оптичні та електрофізичні параметри і характеристики матеріалів оптоелектроніки, аналізувати роботу напівпровідникових електронних схем з діодами, транзисторами, лазерами і фотодетекторами. - Володіти елементарними навичками аналізу роботи пристроїв твердотільної електроніки та наноелектроніки, приладів оптотехніки.
Зміст навчальної дисципліни
Курс охоплює базові професійні навички в сфері фотовольтаїка та оптоелектроніки, фізики нерівноважних процесів в напівпровідникових наноструктурах. Розглянуто фізичні основи роботи основних типів сонячних елементів і фотодетекторів. Курс включає практичні заняття, що дозволяють отримати досвід у дослідженні оптичних властивостей наноструктур та оптоелектронних пристроїв на їх основі.
Рекомендована та необхідна література
1. Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р.Дж. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – М. Техносфера, 2007. – 368 с. 2. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. М.: Мир, 1984. 3. Л.Е.Воробьев, Е.Л.Ивченко, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин. Оптические свойства наноструктур: Учеб. пособие / Под. ред. Е.Л.Ивченко и Л.Е.Воробьева СПб. Наука, 2001. – 188 с. 4. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. – М.: Мир, 1976.– 430 с. 5. Peter Wiirfel. Physics of Solar Cells From Principles to New Concepts WILEY-VCH Verlag GmbH & Co, KGaA, Weinheim , 2005. 6. M.A. Green Third Generation Photovoltaics Advanced Solar Energy Conversion, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2006. 7. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел.– М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962. – 558 с. 8. Т.Мосс. Оптические свойства полупроводников.– М.: Наука, 1990.– 304 с.
Заплановані освітні заходи та методи викладання
Загальний обсяг 120 год., у тому числі: лекцій – 18 год.; практичні заняття – 4 год.; консультації – 2 год.; самостійна робота - 96 год.
Методи та критерії оцінювання
- семестрове оцінювання: 1. Модульна контрольна робота 1: 15 балів 2. Модульна контрольна робота 2: 15 балів 3. Практичні заняття: 10 балів - підсумкове оцінювання у формі заліку: - 60 балів - умови допуску до іспиту: Аспірант не допускається до іспиту, якщо під час семестру набрав менше ніж 20 балів.
Мова викладання
українська

Викладачі

Ця дисципліна викладаеться наступними викладачами

Сергій Вікторович Кондратенко
Кафедра оптики
Фізичний факультет

Кафедри

Наступні кафедри задіяні у викладанні наведеної дисципліни

Кафедра оптики
Фізичний факультет