Інфопакет

Фізика напівпровідникових гетероструктур

ДВА. 02.09

Вибіркова дисципліна для ОП

Третій

2018/2019

4 Семестр

4

РН04. Планувати і виконувати експериментальні та/або теоретичні дослідження з фізики (астрономії) та дотичних міждисциплінарних напрямів з використанням сучасних інструментів, критично аналізувати результати власних досліджень і результати інших дослідників у контексті усього комплексу сучасних знань щодо досліджуваної проблеми. РН07. Глибоко розуміти загальні принципи та методи природничих наук, а також методологію наукових досліджень, уміти застосувати їх у власних дослідженнях у сфері фізики (астрономії) та у викладацькій практиці.

Дистанційне навчання

Знати основні питання фізики напівпровідників, основи математичного аналізу, квантової механіки, а також квантової фізики конденсованого стану; Вміти самостійно працювати з джерелами навчальної та наукової інформації; самостійно навчатися й опановувати нові знання з фізики наноструктур та суміжних галузей; логічно і послідовно формулювати основні закономірності фізики наноструктур; Володіти базовими навичками самостійного пошуку потрібної інформації в друкованих та електронних джерелах, аналізувати, систематизувати, розуміти, тлумачити та використовувати її для вирішення наукових і прикладних завдань фізики напівпровідниклвих низьковимірних систем.

Навчальна дисципліна передбачає вивчення основних питань сучасної фізики напівпровідниклвих низьковимірних систем; ознайомлення з методологію сучасних досліджень у цій галузі. Знання, отримані при вивченні дисципліни «Фізичні властивості низьковимірних систем» є необхідною складовою успішного опанування науковою літературою за темою дисертаційного дослідження, використання сучасних експериментальних методів наукових досліджень.

1. Коротченков О. О., Надточій А.Б. Вступ до фізики низькорозмірних напівпровідникових систем. Дослідження теплових та термоелектричних властивостей тонких плівок. Вінниця, Видавництво ТОВ «Нілан-ЛТД», 2021 – 76 с 2. Подолян А.О., Коротченков О.О. Фізика низькорозмірних напівпровідників. Генерація та рекомбінація нерівноважних носіїв заряду. Фотоелектричний ефект, Вінниця: ТОВ “Твори”, 2018, 64 с. 3. Коротченков О.О. Вступ до фізики низькорозмірних напівпровідникових систем. Властивості гетеропереходів, Київ: Бавок, 2011, 48 с. 4. Гридчин В.А., Драгунов В.П., Неизвестный И.Г. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. М.: Физматкнига. 2006, 496 с. 4. Воробьев Л.Е., Голуб Л.Е., Данилов С.Н., Ивченко Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах. СПб. 2000, 156 с. 5. Davies J.H. The physics of low-dimensional semiconductors. Cambridge Univ. Press, 1998, 438 p.

Загальний обсяг 120 год., у тому числі: лекцій – 18 год.; практичні заняття – 4 год.; консультації – 2 год.; самостійна робота - 96 год.

- семестрове оцінювання: 1. модульні контрольні роботи (мах. 20 балів, мін. 12) 2. виступи на практичних заняттях (мах. 20 балів, мін. 12) 3. реферати та есе (за один: мах. 5 балів, міn. 3 бали) - підсумкове оцінювання (у формі іспиту) - умови допуску до підсумкового іспиту: Обов’язковою умовою допуску до іспиту є відпрацювання всіх практичних робіт та написання модульної контрольної роботи. Здобувач освіти не допускається до іспиту, якщо під час семестру набрав менше ніж 36 балів.

українська