Спеціальні розділи прикладної фізики

Освітня програма: Прикладна фізика та наноматеріали

Структурний підрозділ: Факультет радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем

Назва дисципліни
Спеціальні розділи прикладної фізики
Код дисципліни
ВБ 1.10
Тип модуля
Обов’язкова дисципліна для ОП
Цикл вищої освіти
Другий
Рік навчання
2023/2024
Семестр / Триместр
4 Семестр
Кількість кредитів ЕСТS
3
Результати навчання
Базові підходи до чисельного моделювання, обчислення електронних властивостей конденсованої фази. Основні принципи використання пакетів програмного забезпечення із відкритим кодом для розрахунку електронної структури нанокластерів. Основні технологічні підходи до створення сучасних інтегральних наноелектронних приладів, включаючи атомно-контрольоване нанесення плівок. Основні фізичні моделі спінзалежних явищ та протікання спінполяризваних струмів. Основні фізичні моделі та підходи до опису тунелювання електронів.
Форма навчання
Очна форма
Попередні умови та додаткові вимоги
Знання: курси загальної фізики, фізики твердого тіла, теоретичної фізики, лінійної алгебри, диференціальних та інтегральних рівнянь, прикладної фізики та електроніки, базові основи теорії твердотільних електронних приладів, основні режими роботи, робочі параметри та схемотехнічні рішення, в яких вони застосовуються. Вміння: будувати фізичні моделі твердотільних напівпровідникових приладів, ідентифікувати основні наближення для спрощення математичного опису їхніх робочих параметрів.
Зміст навчальної дисципліни
Обчислення електронної структури, аналітичні та чисельні підходи. Редукція багатоелектронної квантової задачі Шредінгера до одноелектронної. Розрахунки спінзалежної електронної структури речовини та нанорозмірних молекул. Розрахунок тунельного струму між нанорозмірними терміналами із відомою електронною структурою. Побудова елементної бази наноелектроніки на основі комбінації нанорозмірних острівців та тунельних бар’єрів. Нанорозмірні пристрої зберігання інформації на основі квантових точок.
Рекомендована та необхідна література
1. Р.М. Мартін. Електронна структура — Базова теорія та практичні методи. – Кембрідж Юніверсіті Прес, 2020. – 762 сторінки. 2. М. Поурфас. Метод нерівноважних функцій Гріна для моделювання нанорозмірних пристроїв. – Видавництво Спрінгер Відень, 2014. – 256 сторінок. 3. М.В. Фішетті, В.Г. Ванденьерге. Новітня фізика електронного транспорту в напівпровідниках та наноструктурах. – Міжнародне Видавництво Спрінгер Швейцарія, 2016. – 474 сторінки.
Заплановані освітні заходи та методи викладання
Лекційні заняття з використанням засобів комп’ютерної візуалізації даних (25 годин). Консультації в очній формі або із використанням засобів дистанційного навчання (2 години). Самостійна робота із використанням наданих викладачем навчальних матеріалів в електронному вигляді (24 годин).
Методи та критерії оцінювання
Cеместрове оцінювання здійснюється шляхом проведення двох письмових контрольних робіт, за кожну з яких студент може отримати максимально 30 балів. Підсумкове оцінювання у формі письмово-усного заліку. Максимально за залік можна отримати 40 балів. Умовою досягнення позитивної оцінки за дисципліну є отримання не менш ніж 60 балів сумарно за всіма методами оцінювання.
Мова викладання
Українська