Фотовольтаїка та оптоелектроніка напівпровідникових наноструктур

Освітня програма: Фізика та астрономія

Структурний підрозділ: Фізичний факультет

Назва дисципліни
Фотовольтаїка та оптоелектроніка напівпровідникових наноструктур
Код дисципліни
ДВА. 02.15
Тип модуля
Вибіркова дисципліна для ОП
Цикл вищої освіти
Третій
Рік навчання
2023/2024
Семестр / Триместр
4 Семестр
Кількість кредитів ЕСТS
4
Результати навчання
РН04. Планувати і виконувати експериментальні та/або теоретичні дослідження з фізики (астрономії) та дотичних міждисциплінарних напрямів з використанням сучасних інструментів, критично аналізувати результати власних досліджень і результати інших дослідників у контексті усього комплексу сучасних знань щодо досліджуваної проблеми. РН07. Глибоко розуміти загальні принципи та методи природничих наук, а також методологію наукових досліджень, уміти застосувати їх у власних дослідженнях у сфері фізики (астрономії) та у викладацькій практиці.
Форма навчання
Дистанційне навчання
Попередні умови та додаткові вимоги
- Знати основи фізики напівпровідників, квантової механіки, принципи теорії твердого тіла, основи наноелектроніки. - Вміти - вимірювати оптичні та електрофізичні параметри і характеристики матеріалів оптоелектроніки, аналізувати роботу напівпровідникових електронних схем з діодами, транзисторами, лазерами і фотодетекторами. - Володіти елементарними навичками аналізу роботи пристроїв твердотільної електроніки та наноелектроніки, приладів оптотехніки.
Зміст навчальної дисципліни
Курс охоплює базові професійні навички в сфері фотовольтаїка та оптоелектроніки, фізики нерівноважних процесів в напівпровідникових наноструктурах. Розглянуто фізичні основи роботи основних типів сонячних елементів і фотодетекторів. Курс включає практичні заняття, що дозволяють отримати досвід у дослідженні оптичних властивостей наноструктур та оптоелектронних пристроїв на їх основі.
Рекомендована та необхідна література
1. Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р.Дж. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – М. Техносфера, 2007. – 368 с. 2. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. М.: Мир, 1984. 3. Л.Е.Воробьев, Е.Л.Ивченко, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин. Оптические свойства наноструктур: Учеб. пособие / Под. ред. Е.Л.Ивченко и Л.Е.Воробьева СПб. Наука, 2001. – 188 с. 4. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. – М.: Мир, 1976.– 430 с. 5. Peter Wiirfel. Physics of Solar Cells From Principles to New Concepts WILEY-VCH Verlag GmbH & Co, KGaA, Weinheim , 2005. 6. M.A. Green Third Generation Photovoltaics Advanced Solar Energy Conversion, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2006. 7. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел.– М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962. – 558 с. 8. Т.Мосс. Оптические свойства полупроводников.– М.: Наука, 1990.– 304 с.
Заплановані освітні заходи та методи викладання
Загальний обсяг 120 год., у тому числі: лекцій – 18 год.; практичні заняття – 4 год.; консультації – 2 год.; самостійна робота - 96 год.
Методи та критерії оцінювання
- семестрове оцінювання: 1. Модульна контрольна робота 1: 15 балів 2. Модульна контрольна робота 2: 15 балів 3. Практичні заняття: 10 балів - підсумкове оцінювання у формі заліку: - 60 балів - умови допуску до іспиту: Аспірант не допускається до іспиту, якщо під час семестру набрав менше ніж 20 балів.
Мова викладання
українська

Викладачі

Ця дисципліна викладаеться наступними викладачами

Кафедри

Наступні кафедри задіяні у викладанні наведеної дисципліни