Інфопакет

Теорія розсіяння ренгенівських променів та методи ренгеноструктурного аналізу

ВК 8

Вибіркова дисципліна для ОП

Другий

2023/2024

7 Семестр

7

Оволодіння методами та принципами планування і виконання експериментальних досліджень атомно-просторової структури кристалів, аморфних систем на нанокомпозитів з використанням сучасних рентгенівських дифрактометрів, набуття вмінь та навичок визначення основних параметрів кристалічної структури за даними дифракції рентгенівських променів.

Очна форма

Знати закони класичної електродинаміки, оптики, атомної фізики та квантової механіки, а також основи математичного аналізу та теорії фінкції комплексної змінної. Вміти застосовувати попередні знання з курсів математичного аналізу, диференціальних та інтегральних рівнянь та математичної фізики для розв’язку задач електродинаміки, атомної фізики та квантової механіки. Володіти навичками інтегрування раціональних функцій, перетворення комплексних чисел, розв’язування рівнянь у частинних похідних, обробки експериментальних даних та побудови графіків з використанням програмного пакету «Origin».

У рамках курсу «Теорія розсіяння рентгенівських променів та методи рентгеноструктурного аналізу» розглядається коло явищ, які виникають при дифракції рентгенівських променів на атомних просторових структурах у кристалах, аморфних речовинах, рідинах та низькорозмірних структурах і дозволяють отримувати інформацію про атомно-просторову будову таких об'єктів. Навчальна задача курсу полягає в оволодінні методами і принципами практичного застосування рентгенівської дифракції: визначення параметрів елементарної комірки, просторової групи кристалу, координат атомів в елементарній комірці, з’ясування фазового складу зразків та ступеню їх структурної досконалості, розмірів блоків когерентного розсіювання та залишкових мікронапруг. Результати навчання полягають в умінні застосовувати методи рентгеноструктурного аналізу для опису структурних властивостей конденсованих систем.

1. П.В. Петренко. Дифракційні методи структурного аналізу. Кінематичне наближення. ВПЦ Київського національного університету імені Тараса Шевченка. 2005. 249 с. 2. С.І. Сидоренко, Р.І. Барабаш. Сучасний рентгеноструктурний аналіз реальних кристалів. К.: Наукова думка, 1997р. 3. А.П. Шпак, В.Л.Карбівський, Ю.А.Куницький, О.М. Пошелюжний. Сучасні методи дослідження структури матеріалів. Київ. Академперіодика. 2001. 4. А.А. Русаков. Рентгенографія металів. М. 1977. 5. Г.С. Жданов, А.С. Ілюшин, С.В. Нікітіна. Дифракційний та резонансний структурний аналіз. 6. М.А. Порай-Кошиць. Практичний курс рентгеноструктурного аналізу М., МДУ. 7. Г.В. Бокій, М.А. Порай-Кошиць. Рентгеноструктурний аналіз. Т.1, М., МДУ, 1964. 8. В.І. Іверонова, Г.П.Ревкевич. Теорія розсіювання рентгенівських променів. М., МДУ, 1972. 9. Я.С. Уманський, Ю.А.Скаков, М.М .Расторгуєв. Кристалографія, рентгенографія та електронна мікроскопія., М.1982.

Лекції - 30 годин, лабораторні роботи - 44 годин, самостійна робота – 136 годин, консультації.

1. Модульний тест 1 (8 балів - 14 балів). 2. Захист лабораторних робіт 1 - 4 (10 балів - 16 балів). П.1 і П.2. формують загальну оцінку першого змістового модуля. 3. Модульний тест 2 (8 балів - 14 балів). 4. Захист лабораторних робіт 5 – 8 (10 балів - 16 балів). П.3 і П.4. формують загальну оцінку другого змістового модуля. Підсумкове оцінювання у формі іспиту. Студент не допускається до іспиту, якщо він набрав за семестр менше 36 балів. Оцінка за іспит не може бути нижчою за 24 бали, щоб отримати загальну позитивну оцінку за курс.

Українська